Micro-Electro-Mechanical Systems, or MEMS, is a technology that in its most general form can be defined as miniaturized mechanical and electro-mechanical elements (i.e., devices and structures) that are made using the techniques of microfabrication. The critical physical dimensions of MEMS devices can vary from well below one micron on the lower end of the dimensional spectrum, all the way to several millimeters.
MEMSToolset (Описание основного оборудования)
Module |
Equipment |
Lithography (фотолитография) |
Resist Spin Coater - Headway Manual Resist Spinner, headway2. The Headway Coater is used to apply photoresist to any substrate. Centrifugal force uniformly spreads fluid across the surface of the spinning substrate. The spin speed, spin time, and substrate and fluid properties determine the final thickness of the film. – оборудованиедля нанесенияфоторезиста наподложку, Resist Coating Track - SVG Coat Tracks - The SVG (Silicon Valley Group) coater is an automated track system for dispensing photoresist on 4" silicon, glass, or quartz wafers. –автоматизированая системананесения фоторезистана кремний, стекло идр. подложки. Suss Resist Spray Coater - allows wafers to be spray coated with photoresists and potentially other types of polymers or atomizable materials. –позволяет наноситьпокрытия путемраспыления (разбрызгивания) фоторезистивныхили другихматериалов. i-Linestepper (ASML) - ASML PAS 5500/60 i-line Stepper –оборудование для пошаговой экспозиции (использование ультрафиолетового диапазона) Karl Suss MA6 Contact Aligner -The Karl Suss MA-6 Contact Aligner system can perform precision mask-to-wafer front- or back-side alignment and near-UV photoresist exposure in hard- and soft- contact, as well as high and low vacuum contact; proximity is not available. Our current configuration accommodates 3", 4" and 6" wafers and pieces. SNF has two MA-6 aligners (karlsuss and karlsuss2). – оборудованиедля точногонанесения фотомасок (фотошаблонов) наповерхности платResist Development Track - The SVG (Silicon Valley Group) developer is an automated system with two independent tracks for developing and post-baking exposed photoresist-coated 4" wafers. –оборудование для подготовки удаления (проявления) фоторезиста Ovens (prime, UV cure, temperature, ets) – печидля обезвоживанияплат, UV обработкии т.д.) |
Metrology |
Hitachi 4160 Scanning Electron Microscopy – сканирующийэлектронный микроскоп WoollamProfilometer- оборудование для измерения неровностей поверхности |
Chemical vapor deposition (химическое парофазное осаждение) |
LTO (low- temperature oxide)( получение поликристаллического кремния при температурах 650 and 750 °C – относительно низкие температуры) LPCVD (Low pressure chemical vapor deposition) Nitride (получениеНитрид акремния) LPCVDLTO (Oxide) (получение Диоксида кремния) LPCVDPolysilicon (получение поликристаллического кремния) FijiALD (FijiThermalandPlasmaAtomicLayerDeposition - Атомно-слоевое осаждение - похоже на процесс химического осаждения из паровой фазы) Centurion Epitaxial (Epitaxial reactor for reduced pressure epitaxial deposition of Ge, high concentration silicon germanium (Ge above 15%) with a wide range of doping concentrations and hydrogen anneals) – реактордля эпитаксиальногоосаждения германия |
Innotec Evaporator - capable of depositing either single or multiple metallic thin films by Evaporation method– высоковакуумное оборудование для термического напыления в основном металлов, но возможно и напыление, например, кремния MetallicaSputterSystem – оборудование для высоковакуумного магнетронного напыления металлов (обычно включает два и более магнетронов, при доработке может использоваться и для нанесения диэлектрических и пп материалов) |
|
Etching (травление) |
P5000 Applied Etcher - Etcher Applied Materials Precision 5000 Etcher - a "cluster" tool, consisting of four, independently-controlled etch chamber modules which surround a central loadlock STS DPIE - STS Deep RIE Etcher, stsetch (semi-clean) This is a IPC (Inductive Charged Plasma) Deep Reactive Ion etcher from Surface Technology Systems. – оборудование для подготовки поверхности путем ионного травления MRC RIE - a general purpose, plasma reactive ion etching system, used to etch a variety of materials, including oxides, nitrides, silicons, and some organic films. Lam Poly Etcher - Lam Research 9400 TCP Poly Etcher, lampoly is a single wafer, low pressure, high density plasma etcher for polysilicon processing. |
Annealing, Oxidation, Doping (Отжиг, окисление, легирование) |
Thermco Furnace - Thermco Oxidation and Annealing Furnace, is used for wet and dry oxidation processing –печь для отжига и сухого окисления Tylan Furnaces - Tylan Oxidation and Annealing Furnaces, tylan2-4 The Tylan Oxidation and Annealing Furnaces are high temperature atmospheric furnaces made of pure quartz that allow for the introduction and mixing of gases (N2, Ar, O2 and H2) to grow silicon dioxide (SiO2) on silicon wafers. – печи длявыращивания диоксидакремния Anneal Furnace - Tylanfga, semi-clean. Operation of tylanfga is very similar to the operation of tylan1-4. AllWin RTA - AllWin 610 Rapid Thermal Annealer –печь для быстрого термического отжига |
Wetbenche (оборудование для влажного травления и очистки) |
Clean Bench - Wet Bench Clean-1 and 2 (former wbdiff) is used for cleaning 3", 4", and 6" silicon, silicon germanium, or quartz wafers prior to processing in diffusion furnaces, LPCVD furnaces or before metal deposition. – травление кремниевых пластин до нанесения металлов. Metal Bench - The Metal Wet Bench is used for processing of silicon wafers with standard metals. In addition to the standard dump rinse and spin-rinse-dryer modules, this station also has an aluminum etch hot pot, hot pot for stripping resist from metal-coated wafers, hot pot for final cleaning of metal wafers before anneal, two HF tanks, and a room temperature bath for peroxide solutions. – травление пластин с металлами. Solvent Bench - Lithography Solvent Bench, lithosolv is used for handling solvents or other volatile organics such as photoresist. – используются растворители и летучие органические соединения для очистки |
Wafer Bonder (склеивание плат) |
Karl Suss Wafer Bonder - Wafer bonding of pieces to 6” wafers can be done at pressures from 5e-5 to 3e3 mBar and from 50°C to 550°C. –оборудование для склеивания при разных температурах и давлениях |